教  師  基  本  資  料

姓名

陳長有

英文名

Chang-You Chen

性別

男

現(兼)職稱

副教授

聯絡電話

(05) 631-5467

E-mail

cychen@nfu.edu.tw

經 歷  &  專 長

主要學歷

國立交通大學材料科學工程所博士

國立交通大學材料科學工程所碩士

國立清華大學材料科學工程系大學

專長與研究領域

半導體製程與電性量測/鋁基複合材料/ TEM微結構分析/材料機械性質測試

相關經歷

國立虎尾學科技大學材料科學工程系副教授

國立雲林工專機械材料工程科助教 講師 副教授

私立大漢工商專校機械工程科助教

曾執行之計畫（國科會及各種產學計畫）

補助或委託機構

起迄年月

計畫名稱(計畫編號)

國科會

88/8/1~89/7/31

砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體銅金屬化之研究。

研 究 成 果 目 錄

期 刊 論 文

1

Chang-You Chen, Edward Yi Chang, Li Chang, Szu-Houng Chen, and Yueh-Chin, “The performance of GaAs power MESFETs using backside copper metallization”, solid state electronics, 46 (2002). pp.2085-2088 (SCI)

2

Chang-You Chen, Edward Yi Chang, Li Chang, Szu-Houng Chen, “Backside copper metallization of GaAs MESFETs using TaN as the diffusion barrier”, IEEE Transactions On Electron Devices, Vol. 48, No. 5, June 2001. (SCI)

3

Chang-You Chen, Li Chang, Edward Y. Chang, Szu-Houng Chen, and Der-Fu Chang, “Thermal stability of Cu/Ta/GaAs multilayers”, Applied Physics Letters, Vol. 77, No. 21, 20 November 2000, pp.3367-3369. (SCI)

4

Chang-You Chen and Chuen-Guang Chao, “Effect of particle-size distribution on the properties of high-volume-fraction SiCp-Al-based composites”, Metallurgical and Materials Transactions A, Vol. 31A, September 2000, pp. 2351-2359. (SCI)

5

C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang and S. H. Chen, “Backside copper metallisation of GaAs MESFETs”, Electronics Letters, Vol. 36, No. 15, 20 July 2000, pp. 1317-1318. (SCI)

研討會論文

1

Chang-You Chen and Li Chang, “TEM characterization of Cu/Ta/GaAs multilayer microstrures”, proceedings of the 23th ROC symposium on electron microscopy, January, 2003.

2

C. Y. Chen, E. Y. Chang, L. Chang, S. H. Chen and Y. C. Lin,   “GaAs power MESFET’s with   backside copper metallization”, European Gallium Arsenide And Other Semiconductors Application Symposium(GaAs 2001), European Microwave Week 2001, The European Conference On Wireless Technology, London, England, 24-28 September 2001.

3

C. Y. Chen, E. Y. Chang L. Chang and S. H. Chen, “Backside copper metallization of GaAs MESFETs using Ta or TaN as the diffusion barrier”, Proceedings of The Second International Symposium On Compound Semiconductor Power Transistors II, Electrochemical Society Proceedings Vol. 2000-1, pp. 282-291.

4

陳長有，朝春光，“擠壓鑄造法製作高體積分率碳化矽-鋁基複合材料之研究”， 材料年會，1995年4月 。

專利、專書或專書論文

1

陳長有，許禎祥，許振聲，陳伯宜，“機械材料實驗”，全華書局，民國96年3月。

2

陳長有,“砷化鎵功率金屬半導體場效電晶體銅金屬化之研究”, 國立交通大學博士論文,民國92年3月。

3

陳長有，“擠壓鑄造法製作高體積分率碳化矽-鋁基複合材料之研究”，交大碩士論文，民國84年6月。

4

陳長有，許振聲，陳伯宜，“機械工程實驗(一)- 材料實驗”，全華書局，民國76年9月。

5

陳長有， “時效處理對Al-5.6wt%Zn-2.7wt%Mg-3wt%SiC 複合材料耐磨性之研究”， 紅豆書局，民國74年11月。

技術報告及其他

略

其他參與活動

略

參加國際學術研討會

1

European Gallium Arsenide And Other Semiconductors Application Syposium(GaAs 2001),  European Microwave Week 2001, The European Conference On Wireless Technology, London, England, 24-28 September 2001.

2

Proceedings of The Second International Symposium On Compound Semiconductor Power  Transistors II, Electrochemical Society, Tronto, Canada, 10-15 May 2000.

參與之學術團體 

1

中國材料科學會。

學術榮譽

略

個人其他補充資料

略